这次自然也是承担了极紫外光光刻胶的研发任务
光刻技术随着集成电路集成度的提升而不断发展，为了满足集成电路对密度和集成度水平的更高要求，半导体用光刻胶通过不断缩短曝光波长以提高极限分辨率，世界芯片工艺水平目前已跨入微纳米级别，光刻胶的波长由紫外宽谱逐步提升到了g线、i线、氟化氪、氟化氩、F2，国外现在能够做到的F2光源波长在157纳米，同时业发展出了相应的光刻胶
半导体材料公司光刻胶技术部门也是从i线光刻胶开始的，通过霓虹国设置在吕宋国的光刻胶工厂得到了工艺资料后杨杰也是找到了黄明超等在做光刻胶的技术人员摸索出了i线光刻胶的配方，之后开始自主研发氟化氪、氟化氩光源的光刻胶
不过杨杰并没有让F2光源的光刻胶，而是直接让他们研发极紫外光的光刻胶
通过数年的研发，黄明超等技术团队此时已经研发出了极紫外光的光刻胶，可是因为没有合适的光源来做实验验证，去鹰酱的国家实验室去做实验的话等的时间太长了
这次神光光源设施试运行，技术团队也是向总部第一个递交了申请，杨杰也是同意了下来
要想研发极紫外光光刻机有几个关键的子系统要解决，首先就是极紫外光的光源，现在小功率的极紫外光光源还没有研发出来，所以很多实验只能先是来这个大型的实验室来做
现在神光光源设施开始试运行，也是为小型化的极紫外光光源打下了非常坚实的基础
因为光刻机的光源功率要求在250w，而神光光源的光束能量比这个不知道要高到哪里去了，所以实验的时候功率都是要通过远程的能量调节器调到需要的光源功率才能进行实验
在光刻胶方面，要实现大规模量产要求光刻胶的照射反应剂量水平必须不高于20兆焦每平方厘米，不过极紫外光的光刻胶的照射剂量普遍需要达到多少每平方厘米的照射剂量才能得到完美图像必须要经过大量的实验才能确定下来，毕竟光刻胶的配方不同
这中间由于极紫外光的破坏性太大，照射的时候会产生的一些光子随机效应，这中间就包括了光子发射噪声现象，照射光光子数量的变化会影响光刻胶的性能，因此会产生一些成像缺陷
而且光刻胶不仅具有纯度要求高、工艺复杂等特征，还需要相应光刻机与之配对调试
一般情况下，一个芯片在制造过程中需要进行10到50道光刻过程，由于基板不同、分辨率要求不同、蚀刻方式不同等，不同的光刻过程对光刻胶的具体要求也不一样，即使类似的光刻过程，不同的厂商也会有不同的要求
针对不同应用需求，光刻胶的品种非常多，这些差异主要通过调整光刻胶的配